半導體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求，一般是要求高效準確，能夠捕捉有效缺陷，實(shí)現實(shí)時(shí)檢測。將晶圓放于精密光學(xué)平臺上，選擇合適的入射光照射于晶圓表面，晶圓隨光學(xué)平臺及旋轉托盤(pán)而運動(dòng)，完成表面的掃描。再通過(guò)CCD等收集反射光，得到晶圓表面圖像，傳到計算機，從而檢測晶圓表面的缺陷。

芯明天高精度P51壓電偏轉/掃描臺可以實(shí)現θx，θy方向偏轉及Z向升降，因其分辨率高、重復定位精度高、響應速度快等特點(diǎn)非常適于晶圓檢測，即可用于調節光路，又可調節晶圓樣品的觀(guān)測視角，大大提高了晶圓檢測的精度。

P51系列壓電偏轉臺為θx、θy 軸偏擺Z 軸升降臺，偏轉行程為±1.1mrad，Z軸直線(xiàn)行程可達100μm。臺體采用無(wú)回差柔性鉸鏈導向結構，采用有限元分析進(jìn)行優(yōu)化，具有超高的剛度以及導向精度。

產(chǎn)品特性

運動(dòng)自由度：θx、θy、Z

直線(xiàn)行程：100μm@150V

偏擺角度：±1.1mrad/軸@150V

直線(xiàn)分辨率可達4nm

偏擺分辨率可達0.05μrad

通孔尺寸：80×80mm

承載可達1kg

仿真分析

通過(guò)有限元FEA 優(yōu)化的鉸鏈用于導向機構偏轉臺。有限元分析技術(shù)用于設計運動(dòng)方向上的剛度，并減少角度偏差。鉸鏈部分允許*精度的運動(dòng)，因為鉸鏈機構無(wú)間隙、無(wú)摩擦。

帶載階躍時(shí)間

P51.ZT1S壓電偏擺臺配套E01.D3壓電控制器，加載240g負載達滿(mǎn)行程的階躍時(shí)間約50ms，加載500g 負載達滿(mǎn)行程的階躍時(shí)間約100ms。