中空式壓電納米定位臺在其臺面的中心區域具有通孔，這種通孔設計非常適用于透射光應用或特殊結構要求的應用。芯明天中空式壓電納米定位臺的通孔尺寸由φ10mm至φ310mm不等，形狀為圓形、方形等。既可適用于小型設備（如紅外熱成像）的小通孔應用，又可用于大型設備（如大口徑干涉儀）要求的大通孔應用。

根據壓電納米定位臺的應用環(huán)境，它又分為標準版、低溫真空、無(wú)磁版本。標準版壓電納米定位臺是為正常室溫下使用而設計；而低溫、真空、無(wú)磁版本是專(zhuān)為特殊環(huán)境應用而設計，它采用低溫壓電陶瓷驅動(dòng)器以及輕型耐低溫、無(wú)磁結構材料，內部各部件都是環(huán)境兼容型。

低溫真空無(wú)磁型壓電納米定位臺非常適用于半導體加工、檢測等應用。

壓電納米定位臺是通過(guò)PZT壓電陶瓷驅動(dòng)，但內部的驅動(dòng)結構會(huì )分為兩種，分別為直驅式機構與放大式機構。

直驅與放大機構的區別是在其他條件一致情況下的對比。放大機構式壓電平臺的位移更大，在同等驅動(dòng)電壓下，放大機構式平臺的位移是直驅機構式平臺位移的幾倍至幾十倍。而直驅機構式壓電平臺響應速度更快，定位時(shí)間更短。兩種驅動(dòng)方式閉環(huán)精度都很高。

壓電納米定位臺的內部可選擇配置傳感器，從而形成閉環(huán)控制。根據是否配有傳感器，壓電納米定位臺又分為開(kāi)環(huán)與閉環(huán)版本。閉環(huán)壓電納米定位臺配有傳感器，且具有多種傳感器類(lèi)型可選，如電容式、電感式、應變式閉環(huán)，此外，也可采用外部傳感器與芯明天壓電控制器間形成閉環(huán)控制。閉環(huán)傳感器的類(lèi)型影響著(zhù)壓電納米定位臺的控制精度、外形尺寸、工作頻率及成本等因素。

開(kāi)環(huán)壓電納米定位臺的分辨率是無(wú)限高的，只受控制設備的噪聲的限制，但是由于壓電陶瓷的遲滯和蠕變特性，使其重復性和穩定性較低。閉環(huán)版本可消除遲滯和蠕變，具有更高的定位精度，可實(shí)現定位位置的實(shí)時(shí)反饋。此外，閉環(huán)版本下，驅動(dòng)控制電壓與壓電納米定位臺產(chǎn)生的位移成線(xiàn)性關(guān)系，非常適合納米級精確定位應用。而開(kāi)環(huán)壓電納米定位臺可適合于動(dòng)態(tài)掃描應用。

根據壓電納米定位臺的應用環(huán)境分類(lèi)，它又可分為通用型納米定位臺、壓電式移相器、壓電掃描臺、壓電顯微成像臺等等。

通用型壓電納米定位臺可適用于各類(lèi)應用，根據應用中位移、承載能力、工作頻率、外形結構選擇即可。

壓電式移相器是專(zhuān)為光學(xué)移相應用而設計，步進(jìn)分辨率可達0.5nm以下，可正向、倒置、側臥式使用，承載能力強，且預留有各種尺寸的中心通孔，以便于光的通過(guò)，是激光干涉儀測量中的移相組件。

壓電顯微成像臺是為顯微成像應用而設計，它通常具有大型的中孔設計，安裝孔位會(huì )與顯微成像儀器的樣品臺相匹配?？蛇x擇定制壓電顯微成像臺上的樣品臺結構。

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參數舉例

芯明天壓電納米定位臺因其納米級超高精度、多樣性定制化、可靠的性能，廣泛應用于各類(lèi)應用，如掃描顯微、光路調整、納米操控技術(shù)、生物科技、激光干涉、光通信、CCD圖像處理、顯微成像/操作、納米壓印/光刻、納米定位/測量、共焦顯微、AFM等。

壓電納米定位臺可進(jìn)行納米量級的步進(jìn)，在電壓信號的控制下，可產(chǎn)生與電壓信號成基本線(xiàn)性關(guān)系的位移。此外，壓電納米定位臺也可產(chǎn)生出力，且出力也與電壓信號成線(xiàn)性關(guān)系。

下圖中，是通過(guò)芯明天P83系列宏微復合平臺及XP-63X系列壓電納米定位臺配合探針系統、力傳感器等搭建的一套力閉環(huán)系統，從而可進(jìn)行特殊材料的高精度表面微加工。

禁止加載較長(cháng)負載且加在運動(dòng)臺的一側