壓電掃描臺內置高可靠性壓電陶瓷驅動(dòng)，可以實(shí)現大370μm的掃描范圍，運動(dòng)直線(xiàn)性好，可選擇閉環(huán)版本獲得優(yōu)異的線(xiàn)性度與重復定位精度。壓電掃描臺采用*的結構設計，具有大剛度、大出力、大承載等特點(diǎn)，大承載達3.5kg，空載諧振頻率達600Hz，配套芯明天大功率控制器響應時(shí)間高可達5ms，是精密加工、半導體制造、掃描顯微等應用的選擇。壓電掃描臺在納米光刻實(shí)驗中需要對鏡片進(jìn)行高速微納米級的精密移動(dòng)，從而優(yōu)化鏡片讀取的信息。
除了在光刻實(shí)驗中有著(zhù)應用，還在激光直寫(xiě)系統中有著(zhù)廣泛的應用。激光直寫(xiě)是利用強度可變的激光束對基片表面的抗腐蝕材料實(shí)施變劑量曝光，顯影后在抗腐蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，激光直寫(xiě)系統的基本工作原理是由計算機控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫(xiě)出所設計的任意圖形，從而把設計圖形直接轉移到掩模上。
激光直寫(xiě)的基本工作流程是：用計算機產(chǎn)生設計的微光學(xué)元件或待制作的VLSI掩模結構數據；將數據轉換成直寫(xiě)系統控制數據，由計算機控制高精度激光束在光刻膠上直接掃描曝光；經(jīng)顯影和刻蝕將設計圖形傳遞到基片上。
機械誤差：光刻過(guò)程是指放置在電動(dòng)平臺上的光刻膠基片隨著(zhù)電動(dòng)平臺的轉動(dòng)和平移，由聲光調制器控制光束的強弱對光刻膠進(jìn)行變劑量曝光，通常電動(dòng)平臺的定位精度達到微米或亞微米量級。然而由于慣性、靜摩擦、松動(dòng)等所造成的電動(dòng)平臺螺距誤差與偏移，將直接影響著(zhù)系統的性能和光刻元件的質(zhì)量。如何提升實(shí)現平臺的高精度定位是激光直寫(xiě)技術(shù)中需要考慮的問(wèn)題。
壓電納米定位平臺采用柔性鉸鏈機構，鉸鏈機構基于固體的彈性變形，無(wú)滾動(dòng)和滑動(dòng)部分，具有零摩擦、高精度的特點(diǎn)，并且具有很高的剛度和承載能力。更重要的是，芯明天壓電納米定位臺的定位精度可達納米級甚至亞納米級。
