壓電平移臺采用機構放大設計原理，中間具有通孔，非常適用于近場(chǎng)掃描、共焦顯微等應用。該系列掃描臺XY軸程可達500μm，Z軸直線(xiàn)運動(dòng)行程可達800μm。中間通孔適配器為標準螺紋牙W0.8×1／36＂，便于與顯微鏡集成安裝?？善ヅ洳趟?、尼康、奧林巴斯、徠卡等多種標準鏡頭。
壓電平移臺內部采用有限元分析（FEA）優(yōu)化的線(xiàn)切割撓曲鉸鏈結構。FEA使其設計具有盡可能高的剛度，并使線(xiàn)性和角度跳動(dòng)小化。開(kāi)環(huán)、閉環(huán)可選，真空版本可選。
納米壓印過(guò)程中壓電納米平臺及促動(dòng)器可以提供穩定的位移輸出與控制操作，精度可以達到納米級別，同時(shí)可以提供較大的出力和快速的響應，壓電納米平臺是納米壓印技術(shù)的重要執行元件。
納米壓印技術(shù)基本思想是通過(guò)轉移介質(zhì)將掩模板上的圖形轉移到基板上，轉移介質(zhì)多使用聚合物薄膜（如PMMA、PDMS等）。納米壓印工藝包括圖形復制和圖形轉移兩大步驟，掩模板在壓力的作用下壓進(jìn)轉移介質(zhì)，經(jīng)一段時(shí)間后轉移介質(zhì)將納米腔穴充分填充，隨之釋放壓力進(jìn)行固化脫模，即可在基板上形成輔助轉移圖形。
在圖形復制過(guò)程結束之后，首先需要采用各向異性刻蝕或者反應離子刻蝕（RIE）等方法去除掉基板上的抗蝕劑殘余層，然后開(kāi)始圖形轉移過(guò)程。轉移圖形可以通過(guò)刻蝕或者剝離（淀積、溶脫）方法獲得。
在刻蝕過(guò)程中，基板上抗蝕劑材料的圖形結構被當作掩蔽層，然后采用各向異性刻蝕等方法對基板進(jìn)行刻蝕，這樣就將圖形轉移到基板上。剝離由淀積和溶脫兩個(gè)步驟組成，先在抗蝕劑的表面鍍上一層金屬薄膜，然后用有機溶劑將抗蝕劑和其表面的金屬薄膜溶解掉，基板剩余的金屬薄膜形成了與掩模板上圖形一樣的微結構，即獲得轉移圖形。
